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  好生意好生意 2013-11-01 00:00:00

  下圖為雙異質結(DH)平面條形結構，這種結構由三層不同類型半導體材料構成，不同材料發(fā)射不同的光波長。 圖中標出所用材料和近似尺寸。結構中間有一層厚0.1~0.3 μm的窄帶隙P型半導體，稱為有源層；兩側分別為寬帶隙的P型和N型半導體，稱為限制層。三層半導體置于基片(襯底)上，前后兩個晶體解理面作為反射鏡構成法布里-珀羅(F-P)諧振腔 DH激光器工作原理： 由于限制層的帶隙比有源層寬，施加正向偏壓后， P層的空穴和N層的電子注入有源層。 P層帶隙寬，導帶的能態(tài)比有源層高，對注入電子形成了勢壘，注入到有源層的電子不可能擴散到P層。 同理， 注入到有源層的空穴也不可能擴散到N層。這樣，注入到有源層的電子和空穴被限制在厚0.1~0.3 μm的有源層內形成粒子數(shù)反轉分布，這時只要很小的外加電流，就可以使電子和空穴濃度增大而提GX益。 另一方面，有源層的折射率比限制層高，產(chǎn)生的激光被限制在有源區(qū)內，因而電/光轉換效率很高，輸出激光的閾值電流很低，很小的散熱體就可以在室溫連續(xù)工作。 圖 3.6 DH激光器工作原理(a) 雙異質結構； (b) 能帶； (c) 折射率分布； (d) 光功率分布

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